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军规钽电容 ICE钽电源线下已全面开售

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在介绍AVX 钽电容的温度特性曲线前,我们必需对以下两个基本概念有所认识:

这是额定电容。对于钽OxiCap?电容器的电容测量是在25° C 时等效串联电路使用测量电桥提供一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号,谐波与2.2Vd.c.

钽电容器的电容随温度变化而发生变化。这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。从下面的温度曲线图上可以看出在工作温度范围内,钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升。

这是一个在电容器的能量损耗的测量。它表示,为棕褐色,是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。也用的术语是功率因数,损耗因子和介电损耗。 COS(90 - )是真正的功率因数。 “使用测量进行测量谭桥梁,提供一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号。

耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap 相同电容器。

耗散因数测量的切线损耗角(TAN),以百分比表示。测量DF 是开展测量桥梁供应一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号,免费谐波与偏见2.2Vdc. DF 值是温度和频率依赖性。注意:对于表面贴装产品所允许的最大DF 值表示的收视率表是很重要请注意,这些限额会见了由组件后基板上焊接。

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随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap 庐电容器的典型曲线相同的AVX 钽电容的阻抗(Z)。

这是电流电压的比值,在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗;半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.

阻力损失发生在一切可行的形式电容器。这些都是由几种不同的机制,包括电阻元件和触点,

粘性势力内介质和生产旁路的缺陷电流路径。为了表达对他们的这些损失的影响视为电容的ESR. ESR 的频率依赖性和可利用的关系;ESR=谭δ2πfC 其中F 是赫兹的频率,C 是电容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的测量。ESR 是阻抗的因素之一,在高频率(100kHz和以上)就变成了主导因素。从而ESR 和阻抗几乎成了相同,阻抗仅小幅走高。

ESR 和阻抗都随频率的增加。在较低频率值作为额外的贡献分歧阻抗(由于电容器的电抗)变得更加重要。除了1MHz 的(和超越电容的谐振点)阻抗再次增加由于电感,电容的。

典型ESR 和阻抗值是类似的钽,铌氧化物材料,从而在相同的图表都有效钽电容和OxiCap电容器。

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